반도체식 고주파
- 반도체식 고주파 유도가열 장치의 적용예
- 광명 고주파에서 공급하고있는 반도체식(IGBT,FET,SIT) 고주파 유도가열장치는 진공관방식에 비해 95%이상의 효율을 높일수가 있습니다.
- 고주파유도가열장치는전자산업과 반도체 산업의 발전으로 소형화,저전력화 고신뢰성을 이룩하였습니다.
고주파 발생장치는 초창기 MG방식에서 진공관 방식으로, 진공관에서 SCR 방식으로 변화를 거듭하여 왔으나 반도체 소자의 신개발을통하여 트랜지스터 소자를 채용한방식으로 눈부신 발전을 거듭하여왔으나 최근까지도 저주파, 중주파 영역에서는 SCR을 사용하고 고주파 방식에서는 진공관에 의존을 해왔습니다.
그러나 초고속의 스위칭 소자인 MOSFET의 출현과 더불어 종래의 진공관 방식으로만 가능했던 고주파 영역은 물론 중주파 영역 까지도 사용이 가능한 반도체방식의 고주파 유도 가열 장치의 개발이 이루어 집니다.
MOSFET를 사용한 인버터 방식의 고주파발생장치는 과거의 진공관의 전력효율 55%~60%에 90%~95%까지 효율을 높일 수가 있으며 구동전원이 3.000~20,000 진공관방식 고주파 발생장치에 비해 500V이하의전압으로 구동이 되므로 고압설비가 필요없으며 안전사고를 방지함과 동시에 전력에너지를 절감하고, 소형 경량화,이동의 간편함, 예열의불필요성,수명의 반영구적,뛰어난 정밀도 등의 장점을 가지게 되었습니다.
당사에서는 MOSFET모듈인인 신소자 IGBT를채용한 고주파유도가열장치를 개발하여 공급을 하고 있습니다.